TO-220 N-CH 85V 160A
通孔 N 通道 160A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 85V 160A TO220AB
贸泽:
MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 85V 160A 3-Pin3+Tab TO-220
Win Source:
Trench Gate Power MOSFET | MOSFET N-CH 85V 160A TO-220
通道数 1
漏源极电阻 6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 85 V
漏源击穿电压 85 V
连续漏极电流Ids 160A
上升时间 61 ns
输入电容Ciss 6400pF @25VVds
额定功率Max 360 W
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTP160N085T IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTA160N085T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP160N085T和IXTA160N085T的区别 |
IXTQ160N085T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP160N085T和IXTQ160N085T的区别 |