IS42S16100E-7BLI-TR

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IS42S16100E-7BLI-TR概述

DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60Pin TFBGA T/R

SDRAM 存储器 IC 16Mb(1M x 16) 并联 143 MHz 5.5 ns 60-TFBGA(6.4x10.1)


得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA


贸泽:
DRAM 16M 1Mx16 143MHz SDRAM, 3.3v


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA T/R


安富利:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA T/R


IS42S16100E-7BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 150 mA

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 6ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 6.4 mm

高度 0.85 mm

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S16100E-7BLI-TR
型号: IS42S16100E-7BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60Pin TFBGA T/R
替代型号IS42S16100E-7BLI-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42S16100E-7BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

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IS42S16100H-7BLI-TR

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