IS43DR16160B-37CBLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS43DR16160B-37CBLI概述

动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 266MHz 500ps 84-TWBGA 8x12.5

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IS43DR16160B-37CBLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 205 mA

时钟频率 266 MHz

位数 16

存取时间 500 ps

存取时间Max 0.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 TFBGA-84

外形尺寸

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR16160B-37CBLI

型号： IS43DR16160B-37CBLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器

替代型号IS43DR16160B-37CBLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS43DR16160B-37CBLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS43DR16160A-37CBLI Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS43DR16160B-37CBLI和IS43DR16160A-37CBLI的区别
IS43DR16160B-37CBLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS43DR16160B-37CBLI和IS43DR16160B-37CBLI-TR的区别
IS43DR16160A-5BBLI Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS43DR16160B-37CBLI和IS43DR16160A-5BBLI的区别