静态随机存取存储器 3Mb 128Kx24 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
SRAM - 异步 存储器 IC 3Mb（128K x 24） 并联 100-TQFP（14x20）
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IS61LV12824 10TQLI
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IC SRAM 3MBIT PARALLEL 100TQFP
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SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-Bit 128K x 24-Bit 10ns 100-Pin TQFP
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TME:
Memory; SRAM; 128kx24bit; 3.3V; 10ns; TQFP100; -40÷85°C
Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-bit 128K x 24-bit 10ns 100-Pin TQFP
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
位数 24
存取时间 10 ns
内存容量 3000000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V
电源电压Max 3.63 V
电源电压Min 2.97 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 100
封装 TQFP-100
封装 TQFP-100
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IS61LV12824-10TQLI Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS61LV12824-10TQI Integrated Silicon SolutionISSI | 完全替代 | IS61LV12824-10TQLI和IS61LV12824-10TQI的区别 |
IS61LV12824-10TQLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI | 完全替代 | IS61LV12824-10TQLI和IS61LV12824-10TQLI-TR的区别 |
IS61LV12824-10TQ Integrated Silicon SolutionISSI | 类似代替 | IS61LV12824-10TQLI和IS61LV12824-10TQ的区别 |