IPI65R380C6XKSA1概述
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R380C6XKSA1, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R380C6XKSA1, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
IPI65R380C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 83 W
极性 N-CH
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPI65R380C6XKSA1
型号： IPI65R380C6XKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R380C6XKSA1, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装