IXFX64N60Q3

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IXFX64N60Q3概述

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列

HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度


得捷:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3


欧时:
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装


贸泽:
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247


IXFX64N60Q3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 95 mΩ

耗散功率 1.25 kW

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 300 ns

输入电容Ciss 9930pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX64N60Q3
型号: IXFX64N60Q3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
替代型号IXFX64N60Q3
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