IXTT20P50P

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IXTT20P50P概述

表面贴装型 P 通道 500V 20A(Tc) 460W(Tc) TO-268

P-Channel 500V 20A Tc 460W Tc Surface Mount TO-268


得捷:
MOSFET P-CH 500V 20A TO268


贸泽:
MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the IXTT20P50P power MOSFET, developed by Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 460000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET P-CH 500V 20A 3-Pin2+Tab TO-268


DeviceMart:
MOSFET P-CH 500V 20A TO-268


IXTT20P50P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 450 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 460 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 5120pF @25VVds

下降时间 34 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 14 mm

宽度 16.05 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT20P50P
型号: IXTT20P50P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:表面贴装型 P 通道 500V 20A(Tc) 460W(Tc) TO-268
替代型号IXTT20P50P
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