SOT-227B N-CH 1000V 34A
N-Channel 1000V 34A Tc 700W Tc Chassis Mount SOT-227B
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
贸泽:
MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227B
通道数 1
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 700 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 34A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 9200pF @25VVds
额定功率Max 700 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 700W Tc
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
长度 38.2 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFN34N100 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
APT10025JVFR 美高森美 | 功能相似 | IXFN34N100和APT10025JVFR的区别 |
APT10026JFLL 美高森美 | 功能相似 | IXFN34N100和APT10026JFLL的区别 |
APT10026JLL 美高森美 | 功能相似 | IXFN34N100和APT10026JLL的区别 |