IXTX32P60P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTX32P60P概述

P沟道 600V 32A

P-Channel 600V 32A Tc 890W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3

立创商城:
P沟道 600V 32A

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXTX32P60P中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 890W Tc

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 11100pF @25VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTX32P60P

型号： IXTX32P60P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：P沟道 600V 32A

替代型号IXTX32P60P

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXTX32P60P IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXTK32P60P IXYS Semiconductor	功能相似	IXTX32P60P和IXTK32P60P的区别

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