N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™
### MOSFET ,IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
欧时:
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得捷:
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Ixys Corporation&s;s IXFH26N50P power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 400000 mW. This device utilizes hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin3+Tab TO-247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin3+Tab TO-247AD
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
额定电压DC 500 V
额定电流 26.0 A
漏源极电阻 230 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 400 W
输入电容 3.60 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
额定功率Max 400 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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