IXXX160N65C4参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXXX160N65C4概述

Igbt 650V 290A 940W Plus247

IGBT PT 650V 290A 940W Through Hole PLUS247™-3

得捷:
IGBT 650V 290A 940W PLUS247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 290A 940000mW 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXXX160N65C4中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 940 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 940000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXXX160N65C4

型号： IXXX160N65C4

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 650V 290A 940W Plus247

替代型号IXXX160N65C4

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXXX160N65C4 IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXXX160N65B4 IXYS Semiconductor	完全替代	IXXX160N65C4和IXXX160N65B4的区别
IXXK160N65B4 IXYS Semiconductor	类似代替	IXXX160N65C4和IXXK160N65B4的区别
IXXK160N65C4 IXYS Semiconductor	类似代替	IXXX160N65C4和IXXK160N65C4的区别