IXDH30N120D1

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IXDH30N120D1概述

IXDH 系列 1200 Vce 60 A 100 ns ton 高压 IGBT - TO-247

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA

**V**CES **= 1200 V**

**I**C25 **= 60 A**

**V**CEsat typ **= 2.4 V**

Features

● NPT IGBT technology

● low saturation voltage

● low switching losses

● square RBSOA, no latch up

● high short circuit capability

● positive temperature coefficient for easy paralleling

● MOS input, voltage controlled

● optional ultra fast diode

● International standard packages

Typical Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninteruptible power supplies UPS

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

IXDH30N120D1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 40 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXDH30N120D1
型号: IXDH30N120D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXDH 系列 1200 Vce 60 A 100 ns ton 高压 IGBT - TO-247
替代型号IXDH30N120D1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXDH30N120D1

IXYS Semiconductor

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