IPP084N06L3 G

IPP084N06L3 G图片1
IPP084N06L3 G概述

N沟道 60V 50A

Summary of Features:

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Excellent gate charge x R DSon product FOM
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Very low on-resistance R DSon
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Ideal for fast switching applications
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RoHS compliant - halogen free
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MSL1 rated

Benefits:

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Highest system efficiency
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Less paralleling required
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Increased power density
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System cost reduction
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Very low voltage overshoot
IPP084N06L3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 8.4 mΩ

耗散功率 79 W

漏源击穿电压 60 V

上升时间 26 ns

下降时间 7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP084N06L3 G
型号: IPP084N06L3 G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:N沟道 60V 50A

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