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大电流dcdc降压芯片20a_详细计算公式丨Buck降压开关电源的功率损耗

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直流传导损耗

理想降压转换器在使用理想组件(导通状态下零压降和零开关损耗)时效率为100%。事实上,功耗始终与每个功率元件相关。SMPS有两种损失:直流传导损失和交流开关损失。

降压转换器的传导损耗主要来自晶体管Q1、二极管D1和电感L在传导电流过程中产生的压降。在以下传导损耗计算中,忽略了电感电流的交流纹波。MOSFET用作功率晶体管,MOSFET传导损失等于IO2 ? RDS(ON) ? D,其中RDS(ON)是MOSFET Q1的导电阻。二极管传导功率损失等于IO ? VD ? (1 – D),其中VD是二极管D1的正向压降。电感传导损失等于IO2 ? R DCR,其中R DCR是电感绕组的铜电阻。因此,降压转换器的传导损耗约为:

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例如,12V输入、3.3V/10AMAX以下元件可用于输出降压电源:MOSFET RDS(ON) = 10mΩ,电感RDCR = 2 mΩ,二极管正电压VD = 0.5V。因此,满载下的传导损耗为:

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转换器的效率如下:

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根据上述分析,续流二极管的功率损失为3.62W,远高于MOSFET Q1和电感L传导损失。为进一步提高效率,ADI公司建议使用二极管D1替换为MOSFET Q2.如图9所示。转换器称为同步降压转换器。Q2的栅极需要对Q1栅极信号互补,即Q2仅在Q关闭时导通。同步降压转换器的传导损耗为:

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图9同步降压转换器及其晶体管栅极信号

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如果10mΩ RDS(ON) MOSFET也用于Q2.同步降压转换器的传导损耗和效率如下:

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上面的示例显示,同步降压转换器比传统降压转换器更高效,特别适用于占空比小、二极管D低输出电压应用传导时间长。

交流开关损失

除直流传导损耗外,还有其他交流/开关相关功率损耗,由使用不理想的功率元件引起:

真正的场效应管需要时间来指导或关闭。因此,电压和电流重叠,导致交流开关损失。图10显示了同步降压转换器MOSFET Q典型的开关波形。FET Q1的寄生电容CGD充放电和电荷QGD决定大部分Q1开关时间及相关损耗。底部同步降压转换器FET Q由于开关损耗小,2开关损耗小Q2总是在体二极管传导后导通,在体二极管传导前关闭,而体二极管上的压降很低。Q体二极管反向恢复电荷也可能增加顶部FET Q1.开关损耗,产生开关电压铃和EMI噪声。公式(12)显示,控制FET Q1开关损耗和转换器开关频率fS成正比。精确计算Q1的能量损耗EON和EOFF不简单,具体可以参考MOSFET供应商的应用笔记。

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图10 降压转换器顶部FET Q1的典型开关波形和损耗

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与开关频率相关的真实电感也存在交流损耗。电感交流损耗主要来自磁芯损耗。SMPS磁芯材料可能是铁芯或铁氧体。一般来说,铁芯略饱和,但铁损失高,而铁氧体材料饱和剧烈,但铁损失低。铁氧体是一种类似陶瓷的铁磁体材料,其晶体结构由氧化铁和锰或氧化锌的混合物组成。铁损失的主要原因是磁滞损失。磁芯或电感制造商通常为电源设计师提供铁损失数据,以估计交流电感损失。

其他与交流相关的损失包括栅极驱动器的损失PSW_GATE(等于VDRV ? QG ? fS)和死区时间(顶部FET Q1和底部FET Q2.二极管传导损失(等于)(ΔTON ΔTOFF) ? VD(Q2) ? fS)。

总之,开关的相关损耗包括:

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通常,计算开关相关损耗并不容易。开关相关损耗及开关频率fS成正比。在12VIN、3.3VO/10AMAX在同步降压转换器中,200kHz – 500kHz开关频率下的交流损失约为2%至5%。因此,满载下的总效率约为93%,比例LR或LDO电源要好得多。热量或尺寸可以减少近10倍。

来自ADI整理技术资料

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标签: 硅二极管的正向降压

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