问题:电容器的去耦和旁路是否都过滤高频干扰，去耦是在输出端，旁路是在输入端，能否结合实际电路详细说明
将1~10放置在电路板的电源接入端μF过滤低频噪声的电容器；在电路板上的电源和地线之间放置0.01～0.1μF过滤高频噪声的电容器。
答:在电路方面，总有驱动源和被驱动负载。如果负载电容器相对较大，驱动电路应充放电，以完成信号跳转。当上升边缘陡峭时，电流相对较大，因此驱动电流会吸收大量的电源电流。由于电路中的电感和电阻（特别是芯片管脚上的电感会反弹），这种电流实际上是与正常情况相比的一种 噪声会影响前级的正常工作，即耦合。去耦电容是为了满足驱动电路电流的变化，避免相互耦合干扰。
旁路电容器实际上是去耦合的，但旁路电容器一般是指高频旁路，即提高高频开关噪声的低阻抗泄漏方式。高频旁路电容器一般相对较小，根据谐振频率一般为0.1u，0.01u等等，去耦电容一般比较大，是10u或更大，根据电路中的分布参数和驱动电流的变化来确定。
去 耦合和旁路可视为滤波。去耦电容相当于电池，避免电压因电流突变而下降，相当于滤波。根据电流的大小、预期的纹波大小和工作时间，具体容值可以 计算大小。去耦电容器一般都很大，对噪音频率较高，基本无效。旁路电容是针对高频的，即利用电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个RLC串联模型。当电容器的阻抗等于某个频率时，会发生谐振ESR。如果你看电容器的频率阻抗曲线图，你会发现它通常是V形曲线。具体曲线与电容器的介质有关，因此在选择旁路电容器时也要考虑电容器的介质，一种比较安全的方法是多几个电容器。
去耦电容器在集成电路电源和地面之间有两个功能：一方面是集成电路的蓄能电容器，另一方面是设备的高频噪声。典型的数字电路去耦电容值为0.1μF。该电容分布电感的典型值为5μH。0.1μF去耦电容为5μH其并行共振频率约为7MHz也就是说，对于10，MHz以下噪声具有良好的去耦效果，对40MHz上述噪声几乎无效。1μF、10μF并行共振频率为20MHz以上，去除高频噪声的效果更好。每10片左右的集成电路应增加一个充放电电容器或一个蓄能电容器，可选10个μF左右。最好不要使用电解电容器。电解电容器由两层薄膜卷起。这种卷起结构在高频时表现为电感。使用钽电容器或聚碳酸酯电容器。去耦电容器的选择不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
一般来说，容量是uF等级电容器，如电解电容器或钽电容器，具有较大的电感和较小的谐振频率，通过较好的低频信号，对高频信号具有较强的电感性和较大的阻抗性。同时，大电容器还可以起到局部电荷池的作用，通过电源耦合可以减少局部干扰；容量为0.001~0.1uf陶瓷电容器或云母电容器，电感小，谐振频率高，对高频信号阻抗小，可为高频干扰信号提供旁路，减少局部耦合干扰。
在电子电路中，去耦电容和旁路电容起到抗干扰的作用，电容的位置不同，名称也不同。对于同一电路，
去耦电容器经常连接到供电电源和地面之间，有三个功能：一是作为集成电路的蓄能电容器；二是过滤设备产生的高频噪声，切断通过供电电路传输的电路；三是防止电源携带的噪声干扰电路。
旁路是过滤前级或电源携带的高频杂波或信号；去耦是确保输出端稳定输出（主要用于设备工作）的小池塘，确保电源波动范围不影响其他大电流工作中的电路工作；补充是所谓的耦合：在前后级间传输信号而不影响各级静态工作点。
有源设备在开关过程中产生的高频开关噪声将沿电源线传播。去耦电容器的主要功能是向有源设备提供局部直流电源，以减少开关噪声在板上的传播，并引导噪声到地。
我来总结一下，旁路实际上是为高频干扰提供一种能量释放的方式，不同的容量值可以针对不同的频率干扰。因此，大贴片和小贴片通常并联使用。对于相同容的电容，其Q值会影响旁路时高频干扰释放路径的阻抗，直接影响旁路的效果。对于旁路来说，希望在旁路作用时，电容的等效阻抗越小越好，这样更利于能量的排泄。