太空应用是科技股分公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的一个首要畛域。英飞凌的产物被用于卫星、火星仪器、太空千里镜等，即便在极度卑劣的条件下，这些使用也必需具有卓越的可靠性。环球功率体系和畛域的领导者英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb铁电RAM（F-RAM）非易失性。这款存储器是英飞凌厚实存储器产物组合中的新成员，其特点是拥有卓越的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，而且能以速率举行随机存取和全存储器写入。
1 Mb F-RAM
2 Mb F-RAM
英飞凌F-RAM存储器拥有固有的抗辐射功能，该手艺异常适宜餍足太空使用不息进展的使命请求，而这些使用从来应用的是速率较慢、不太牢固的非易失性存储器。与同类产物相比，英飞凌产物的特色包孕：更快的存储器随机存取速率；经由过程接纳立即非易失性写入手艺进步性；、极低的编程电压（低至2V）以及20 mA最大事情。
英飞凌科技航空航天与国防营业副总裁兼研究员Helmut Puchner暗示：“跟着越来越多的太空使用被设想成在体系端处置数据，而不是经由过程遥测手艺将到空中举行处置，是以对高可靠性非易失性存储器的需要会不息增添，以合营太空级与完成数据记载使用。英飞凌于2022年在该市场推出了首款 F-RAM存储器。这次推出并行接口存储器表现了咱们致力于为新一代太空需要供应一流的、高度靠得住且灵巧的解决计划。”
英飞凌抗辐射F-RAM存储器的目的使用包孕与仪器的、校准数据的数据记载、适用于数据加密的平安密钥存储，以及启动代码存储等。除外太空使用，这款存储器还适用于航空电子等使用的温度请求（-55°C 至 125°C）。
与SPI版本同样，英飞凌新推出的并行接口F-RAM存储器经由过程其化学成份获得了卓越的非易失性存储器特点，例如用原子态刹时切换庖代了EEPROM手艺中的捕捉电荷至程序位。F-RAM自身不受软谬误、磁场或辐射效应影响，且无需来治理页面界限。其靠近有限的耐用性（1013个写入周期）意味着不需要消耗平衡。
该并行存储器接纳44引线陶瓷TSOP而且经由过程QML-V认证，拥有卓越的抗辐射功能：
- TID：>150 Krad（硅）
- SEL：>96 MeV·cm 2/mg @115°C
- SEU：免疫
- SEFI：<1.34 * 10-4 逐日偏差/误差（激活/待机）/免疫（就寝模式）
抗辐射F-RAM非易失性存储器产物组合现已周全上市，包孕2 Mb SPI存储器以及1 Mb和2 Mb并行存储器。