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不同型号的二极管模块并联_干货!二极管的串、并联图文详解!

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1 二极管串联

二极管串联时,应注意静态截止电压和动态截止电压的对称分布。

静态时,由于系列元件的截止泄漏电流有不同的制造偏差,最小泄漏电流的元件承受最大电压,甚至达到发动机状态。但只要元件有足够的发动机稳定性,就没有必要在线路中使用均压电阻。只有当截止电压大于1200时V当元件串联时,一般需要添加并联电阻。

假设截止泄漏电流不随电压变化,忽略电阻误差,则n具有给定截止电压VR的二极管的串联电路,我们可以得到一个简化的计算电阻的公式:

以上Vm是串联电路中电压的最大值,△Ir二极管泄漏电流的最大偏差是运行温度的最大值。我们可以做出安全的假设:

上式中,Irm它是由制造商决定的。根据上述估计,电阻中的电流约为二极管漏电流的六倍。

经验表明,当流经电阻的电流约为截止电压下二极管泄漏电流的三倍时,电阻值就足够了。但即使在这种情况下,电阻仍然会有相当大的损失。

原则上,动态的电压分布不同于静态的电压分布。如果一个二极管pn结载流子比另一个更快,所以它承受电压更早。

如果忽略了电容器的偏差,则在n个给定截止电压值Vr当二极管串联时,我们可以简化并联电容的计算方法:

以上△QRR它是二极管存储功率的最大偏差。假设充分安全:

条件是所有的二极管均出自同一个制造批号。△QRR由半导体制造商给出。除了续流二极管关闭时的存储功率外,电容器中存储的功率也需要打开IGBT替换。根据上述设计公式,我们发现单个二极管的总存储功率值可能是存储功率的两倍。

一般而言,续流二极管的串联电流并不少见,原因在于下列附件的损耗源:

1、pnn重扩散电压;

2.并联电阻中的损失;

3,需要由IGBT替代附加存储容量;

4、由RC电路而导致的元件的增加。

因此,当可以采用高截止电压的二极管时,一般不采用串联方案。

唯一的例外是,当应用电路需要短开关时间和低存储功率时,这两点正好是地奈亚二极管所拥有的。当然,系统的通态损耗也会大大增加。

2 二极管并联

二极管并联,不需要额外的RC缓冲电路。并联时通态电压的偏差应尽可能小。

判断二极管是否适合并联的重要参数是其通态电压对温度的依赖。如果通态电压随温度的升高而降低,则具有负温度系数。这是损失的优势。

若通态电压随温度的升高而升高,则温度系数为正。

在典型的并联应用中,这是一个优势,因为热二极管会承受较低的电流,从而导致系统的稳定性。由于二极管总是有一定的制造偏差,当二极管并联时,负温系数较大(>2mV/K)有温升失衡的危险。

并联二极管产生热耦合:1。通过个芯片并联模块中通过基片;2.在多个模块并联散热器时通过散热器。

一般来说,对于较弱的负温度系数,这种热偶组合足以避免通态电压最低的二极管的温度失衡。但负温度系数值>2mM/K对于二极管,我们建议即总额定电流应小于各二极管额定电流的总和。

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标签: 直二极管模块

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