串联
注意静态截止电压和动态截止电压的对称分布。
静态时，串联各部件的截止泄漏电流有不同的制造偏差，导致 泄漏电流元件承受 电压，甚至达到发动机状态。但，只要元件有足够的发动机稳定性，就不需要在线路中使用均压电阻。只有当截止电压大于时 1200V 当元件串联时，一般需要添加并联电阻。
假设泄漏电流不随电压变化，忽略电阻误差，对于 n 具有给定截止电压 VR 对于二极管的串联电路，我们可以得到一个简化的电阻计算公式：
以上 Vm 是串联电路中的电压 值，△Ir 二极管漏电流 偏差的条件是运行温度为 值。我们可以做一个安全的假设：
上式中，Irm 它是由制造商决定的。根据上述估计，电阻中的电流约为二极管漏电流的六倍。
经验表明，当流经电阻的电流约为时 当二极管在电压下泄漏电流的三倍时，电阻值就足够了。但即使在这种情况下，电阻仍然会有相当大的损失。
原则上，动态电压分布不同于静态电压分布。若为二极管 pn 结载流子比另一个更快，所以它承受电压更早。
如果忽略了电容器的偏差，那么在 n 给定截止电压值 Vr 的二极管相串联时，我们可以采用一个简化的计算并联电容的方法：
以上△QRR 二极管储存电量 偏差。我们可以做一个完全安全的假设：
条件是所有二极管都来自同一制造批号。△QRR 由半导体制造商给出。
除了续流二极管关闭时的存储电量外，电容器中存储的电量也需要打开 IGBT 替换。根据上述设计公式，我们发现单个二极管的总存储功率值可能是存储功率的两倍。
一般而言，续流二极管的串联电流并不少见，原因在于下列附件的损耗源：
1、pn 结的 n 重扩散电压；
2.并联电阻中的损失；
3，需要由 IGBT 附加存储电量的替换
4、由 RC 电路导致元件增加。
因此，当可以采用高截止电压的二极管时，一般不采用串联方案。
例外，当应用电路需要较短的开关时间和较低的存储功率时，这两点正好是地奈亚二极管所拥有的。当然，系统的通态损耗也会大大增加。
并联
并联不需要额外的 RC 缓冲电路。并联时通态电压的偏差应尽可能小。
判断二极管是否适合并联的重要参数是其通态电压对温度的依赖。如果通态电压随温度的升高而降低，则具有负温度系数。这是损失的优势。
若通态电压随温度的升高而升高，则温度系数为正。
在典型的并联应用中，这是一个优势，因为热二极管会承受较低的电流，从而导致系统的稳定性。由于二极管总是有一定的制造偏差，当二极管并联时，负温系数较大（>2mV/K）有温升失衡的危险。
并联二极管会产生热耦合
通过多个芯片并联模块中的基片；
2.当多个模块与散热器并联时，通过散热器
一般对于较弱的负温度系数来说，这类热偶合足以避免具有 通态电压二极管温度失衡。但负温度系数值>2mM/K 对于二极管，我们建议即总额定电流应小于各二极管额定电流的总和。
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