资讯详情

关于差分晶振的LVDS、LVPECL、HCSL、CML模式介绍及其相互转换

1、简介

差异晶振一般用于高速数据传输,常见LVDS、LVPECL、HCSL、CML这些差异技术有差异信号抗干扰和抑制EMI但在性能、功耗和应用场景方面存在很大差异。下图列出了几种最常用的差分信号技术及其主要参数。

LVDS信号±350mv, 相应的功耗很低,但速率可达3.125Gbps。一般来说,电路简单、功耗低、噪音低的优点LVDS成为几十Mbps及至3Gbps应用的首选。

LVPECL信号的摆幅为±800mv或更高,因此其功耗大于LVDS信号的。 但也有更高的驱动能力,可用于10Gbps高速数据传输。

CML(Current Mode Logic)信号主要由电流驱动,其输入输出匹配良好,从而减少外围设备,直接连接,是高速数据接口形式中最简单的。XAUI、10G XFI接口均采用CML电平。

2、LVDS、LVPECL、CML比较

高速设计中常用的三种电平,但各有特点:

都属于电流驱动

CML最简单的是直接连接,无需外部端接;LVDS其次,在接收端增加100Ω终结电阻(不需要内置);LVPECL最复杂的是,输出端需要偏置到VCC-2V,输入端需要偏置到VCC-1.3V。

LVDS差异对摆幅最小,所以功耗也最小,在相同的工作速度下,功耗不到LVPECL三分之一;CML和LVPECL基于结构差异,差异对摆幅相对较大,内部三极管工作处于不饱和状态,功耗较大,CML的功耗低于LVPECL。

由于CML和LVPECL内部三极管处于不饱和状态,逻辑翻转速率高,数据速率高;同时,由于LVDS差异对的输入摆幅较小(LVDS为100mV,LVPECL为310mV,CML为400mV;输出摆幅:LVDS为350mV,LVPECL为800mV,CML为800mV),噪声容量小,不利于高速传输。

支持直流耦合和交流耦合

3、各信号模式之间的转换

LVPECL到CML的转换

如图1所示,在LVPECL驱动输出端向GND处放置一个150Ω电阻为开路发射极提供直流偏置GND直流电流路径非常重要。为了将800mV LVPECL摆幅衰减到400mV的CML摆幅,需在150Ω电阻后放置50个Ω的衰减电阻(RA),以衰减LVPECL摆幅电平的一半。另外,必须确认CML接收器输入内部自偏置。如果CML如果输入端的自偏置不存在,则必须存在PCB上放置50Ω端接电阻到VCC,用于CML端接偏置和传输线。

图1.LVPECL到CML的转换

LVPECL到LVDS的转换

在LVPECL驱动输出端向GND放置一个150Ω电阻为开路发射极提供直流偏置GND直流电流路径至关重要(图2)。为了将800mV LVPECL摆幅衰减到325 mV LVDS摆幅,必须在150Ω电阻器放置70个Ω衰减电阻。应在LVDS在接收器前放置10个接收器nF交流耦合电容以防止来自LVPECL驱动器的直流电平。LVDS输入需要通过方向重新偏置GND放置8.7KΩ电阻连接到3.3V和5KΩ电阻到GND来实现LVDS接收器输入共模1.2V直流电平。如果LVDS接收器差输入引脚已有100Ω电阻不需要外部100Ω电阻。

图2.LVPECL到LVDS的转换

LVPECL到HCSL的转换

如图3所示,在LVPECL驱动输出端向GND放置一个150Ω电阻为开路发射极提供直流偏置GND直流电流路径非常重要。为了将800mV的LVPECL摆幅衰减到700mV的HCSL摆幅时,必须是150Ω电阻后,放置衰减电阻(RA =8Ω)。应在HCSL在接收器前放置10个接收器nF交流耦合电容以防止来自LVPECL驱动器的直流电平。交流耦合电容放置后,HCSL输入需要重新偏置,470可以通过Ω电阻连接3.3V和56Ω电阻到GND上来实现HCSL接收机输入共模350 mV直流电平。

图3.LVPECL到HCSL的转换

HCSL到LVDS的转换

图4中,每一个HCSL0和14输出引脚mA之间切换。当一个输出引脚是低电平(0)时,另一个是高电平(驱动14mA)。HCSL驱动器的等效负载电阻为48Ω,与50Ω并联,相当于23.11Ω。LVDS输入摆幅为14mAx23.11Ω= 323mV。应在LVDS在接收器前放置10个接收器nF交流耦合电容以防止来自HCSL驱动器的直流电平。放置交流耦合电容后,LVDS输入需要重新偏置,一个8可以通过.7KΩ电阻连接到3.3V和5KΩ电阻连接到GND来实现LVDS接收器输入共模1.2V 直流电平。如果LVDS接收器差输入引脚已有100Ω电阻不需要外部100Ω电阻。

图4.HCSL到LVDS的转换

HCSL到CML的转换

图5中,每一个HCSL0和14输出引脚mA之间切换, 当一个输出引脚是低电平(0)时,另一个是高电平(驱动14mA)。HCSL驱动器的等效负载电阻为68Ω,与50Ω电阻并联相当于28.81Ω。CML输入摆幅为14mAx28.81Ω= 403mV。 应在CML在接收器前放置10个接收器nF交流耦合电容以防止来自HCSL驱动器的直流电平。另外,必须确认CML接收器输入内部自偏置。如果没有CML输入端的自偏置必须在CML端接偏置和传输线PCB上放置一个50Ω端接电阻到VCC。

图5 HCSL到CML的转换

LVDS到CML的转换

LVDS输出通过100Ω电阻终端驱动±3.5mA电流,在CML350mV摆幅电平(图6)。因为CML标准摆幅为400mV,所以CML接收器可接收350mV摆幅电平。此外,还必须确认CML接收器输入内部自偏置。如果CML如果输入端的自偏置不存在,则必须存在PCB上放置一个50Ω的电阻到VCC,用于CML端接偏置和传输线。

图6.LVDS到CML的转换

标签: lp1484三极管

锐单商城拥有海量元器件数据手册IC替代型号,打造 电子元器件IC百科大全!

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台