功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能于一体，能够准确测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT静态参数等)，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可以测量具有高电压和大电流特性的不同封装类型的静态参数，uΩ级电阻，pA精确测量等级电流。支持测量输入电容、输出电容、反向传输电容等高压模式下的功率器件结电容。
以自主研发为导向的普赛斯仪表，深耕半导体测试领域I-V积累了丰富的测试经验，推出了直流源表、脉冲源表、高电流脉冲源表、高压源测量单元等测试设备，广泛应用于大学研究所、实验室、新能源、光伏、风电、轨道交通、变频器等场景。
- 高压：支持高达3KV高压试验；
- 大电流：支持高达4KA大电流测试；
- 高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV精确测量等级；
- 丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
- 配置导出：支持一键导出参数配置和一键启动测试功能；
- 数据预览和导出：支持图形界面和表格显示测试结果，也可一键导出；
- 模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，维护方便；
- 可扩展：支持扩展温度控制功能，方便监控系统运行温度；
- 可定制开发：可根据用户测试场景定制开发；
| PMST系统配置 |
关键参数 |
备注 |
| P系列脉冲源表 |
PW高达30V/10A、300V/1A |
格栅极性测试 |
| CW高达300V/0.1A、30V/1A |
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| 最小脉冲宽度200uS |
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| HCP系列大电流脉冲源表 |
PW高达30V/100A |
IGBT导压降和二极管瞬时向电压试验 |
| CW高达10V/30A |
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| 最小分辨率30uV/10pA |
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| 最小脉冲宽度80uS |
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| HCPL系列高电流脉冲电流源 |
单台PW高达12V/1000A，可多台并联 |
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| 最小脉冲宽度为50uS |
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| E系列高压源测量单元 |
CW高达3000V/100mA |
IGBT击穿电压试验 |
| 最小分辨率10mV/100pA |
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| 测量精度 0.1% |
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| 电桥 |
频率范围：20Hz~1MHz |
IGBT各级间电容测试 |
| HVP系列提供0~400V直流偏置电压S系列提供0~30V直流偏置电压 |
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| 预置偏置阻100kΩ |
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电路切换及源表切换 |
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| 主机 |
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| 测试夹具 |
根据器件封装形式定制 |
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；