标签：
二维
二维fdtd
fdtd
用matlab写的二维的fdtd程序，TE波传播，效果较好
节选文档内容
IE63JE63 计算空间大小 pi31415926 icIE12jcJE12 激励位置 epsilon885419e12真空中介电常数 mur04pi1e7 真空中的磁导率 dx001dy001 空间步长 c3e8 真空中的光速 dtdx2c 时间步长 t030tau12 高斯脉冲参数 nstep20 总时间步长 sigmax409pi 最大电导率 sigmamax96000pi 最大导磁率 初始化电场和磁场 ExzerosIEJE1EyzerosIE1JE HzzerosIEJEHzxzerosIEJEHzyzerosIEJE 磁场前的初始化电场和系数 CAEx1JE110CBEx1JE1dtepsilon CAEy1IE110CBEy1IE1dtepsilon CPHzx1IE10CQHzx1IEdtmur0 CPHzy1JE10CQHzy1JEdtmur0 pml层电导率和导磁率 npml6 pml网格数 for i1npml xnumnpmli1 xdnpml xxnxnumxd ...
更多简介
推荐帖子
与单个系统的安装相比，通过单个系统 Cat3 或 Cat5 电缆组合提供电力传输和通信，工程师可以以较低的成本快速构建以太网网络，网络维护工作较少。该技术已基于电气电子工程师协会 (IEEE) 标准迅速采纳并正式化，这也并不足为奇。该技术被称为以太网供电(PoE)，主要优点是简单，只要有数据插座，就可以随时供电。
本文介绍了 PoE
Jacktang
RF/无线
1，在CCS正确创建工程文件。
新建工程：File-New-CCS Project
2，在main.c编写程序并保存在文件中。
1 #include
2 /*
3 * 软件延时
4 */
5 #define CPU_F1 ((double)1000000)
6 #define delay_us1M(x) __delay_
火辣西米秀
微控制器 MCU
本帖最后由 S3S4S5S6 于 2020-8-25 15:51 编辑
下图为基本三极管放大电路，图中标注电路参数，C12为4.7pF,其它参数一直在图中
Vin是正弦信号，频率8M，波形幅值如下图所示
Vout输出波形如下图所示
可以看到Vout输出波形的下半部分有明显的失真。
问题
1、该失真是不是静态工作点设置太高了，导致波形下半部分失真
2、
S3S4S5S6
模拟电子
各位前辈好
我又来啦
三个月前，我们想IAR转型到CCS，CCS免费和强大的功能，不仅免费和免费，它的免费和版本管理我可以太沮丧了
但是从零开始探索软件肯定会有这样那样的问题，比如CCS9浮点操作效率问题，我在这个问题上TI讨论并解决了官方论坛，但这导致了新的问题：CCS如何管理/分配单片机内存？
我参观了这个论坛一会儿，发现没有人谈论它CCS浮点运算，然后我在
luaffy
单片机
本帖最后由 qwqwqw2088 于 2020-8-24 09:57 编辑
电源管理的前沿趋势
功率密度
提高功率密度，在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能。
低静态电流 (IQ)
延长电池寿命和存储时间，不影响系统性能。
低 EMI
降低系统成本，快速满足辐射发射需求 EMI 标准。
qwqwqw2088
模拟和混合信号
许多现代的NAND闪存设备采用新型结构，将接口、控制器和存储芯片集成到普通陶瓷层中。我们称之为集成结构包装。
直到最近，所有的存储卡，如SD、索尼的MemoryStick、MMC等等，些都包含了一个非常简单的经典结构，包括一个独立的部分——一个控制器，一个PCB和tsop48或LGA-52包中的NAND内存芯片。在这种情况下，整个恢复过程非常简单——我们只是解焊内存
btty038
RF/无线
评论
下载学习学习，感谢分享
2018-02-20 07:01:01