模拟电路非常重要。模拟电路三极管的应用是首要任务。正确理解三极管的放大区、饱和区和截止区是理解三极管的标志。
许多初学者会认为三极管是两个 PN 如下图所示：
这个想法是错误的。两个二极管的组合不能形成一个三极管。 NPN 以型三极管为例，如下图所示：
两个 PN 共用一个 P 区(又称基区)，基区很薄，只有几微米到几十微米，就靠它把两个 PN 结有机地结合成一个不可分割的整体，它们之间有相互关联和相互影响，使三极管与两个单独的三极管完全不同 PN 结的特性。在外加电压的作用下，三极管形成基极电流、集电极电流和发射极电流，成为电流放大器件。
三极管的电流放大与其物理结构有关。三极管内部的物理过程非常复杂，初学者暂时不需要深入讨论。从应用的角度来看，三极管可以被视为电流分配器。三极管制成后，三电流之间的比例关系一般确定，如下图所示：
β 和 α 电流分配系数称为三极管，其中 β 大家都很熟悉，都叫电流放大系数。三个电流中，有一个电流发生变化，另外两个电流也会随着按比例地变化。例如，基极电流的变化量 ΔI b ＝ 10 μA ， β ＝ 50 ，根据 ΔI c ＝ βΔI b集电极电流的关系类型和变化量 ΔI c ＝ 50×10 ＝ 500μA ，实现电流放大。
三极管本身不能将小电流转化为大电流。它只控制电路中的电源，并按一定比例向三极管提供 I b 、 I c 和 I e 这三个电流。为了容易理解，我们仍然将电流与水流进行比喻，如下图所示：
这是两根粗细的水管。粗管配有闸门，由细管中的水量控制。如果细管中没有水流，粗管中的闸门就会关闭。注入细管的水量越大，闸门越大，流过粗管的水越多，体现了小控制大，弱控制强的道理。从图中可以看出，细管的水和粗管的水在下端汇合在一根管中。
三极管基极 b 、集电极 c 和发射极 e 与图中的细管、粗管和厚管相对应。如下图所示：
如果给三极管增加一定的电压，就会产生电流 Ib 、 I c 和 I e 。调节电位器 RP 改变基极电流 I b ， I c也随之改变。由于 I c ＝ βI b ，所以很小的 I b 控制比它大 β 倍的 I c。I c 它不是由三极管产生的，而是由电源 V CC 在 I b 在控制下提供的着能量转换的作用。
有了以上知识，很容易理解课本上说的话:
发射极偏集电极反偏，三极管放大；
发射极偏集电极在饱和区工作；
截止区域内发射极反偏集电极反偏工作；
在反向放大状态下，发射极反偏集电极正偏工作。
先假设是在饱和区，在计算C E两端的电压，以0.3伏作为饱和区放大区的判断标准（小于则为饱和模式，大于则为放大模式）；当c e间电压为无穷大时即为截止区！
另一个说明：三极管的三种状态
三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。
(1)、截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。
(2)、放大区：三极管的发射极加正向电压，集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，引起集电极大的信号电流输出。
(3)、饱和区：当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时，再增大Ib，Ic也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。饱和时，Ic最大，集电极和发射之间的内阻最小，电压Uce只有0.1V~0.3V，Uce<ube，发射结和集电结均处于正向电压。三极管没有放大作用，集电极和发射极相当于短路，常与截止配合于开关电路。< span>
主要是根据两个pn结的偏置条件来决定：
发射结正偏，集电结反偏——放大状态；
发射结正偏，集电结也正偏——饱和状态；
发射结反偏，集电结也反偏——截止状态。
这些状态之间的转换，可以通过输入电压或者相应的输入电流来控制，例如：在放大状态时，随着输入电流的增大，当输出电流在负载电阻上的压降等于电源电压时，则电源电压就完全降落在负载电阻上，于是集电结就变成为0偏压，并进而变为正偏压——即由放大状态转变为饱和状态。当输入电压反偏时，则发射结和集电结都成为了反偏，没有电流通过，即为截止状态。
正偏与反偏的区别：对于NPN晶体管，当发射极接电源正极、基极接负极时，则发射结是正偏，反之为反偏；当集电极接电源负极、基极（或发射极）接正极时，则集电结反偏，反之为正偏。总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。