系列文章目录
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- 系列文章目录
- 一、电容
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- 1.旁路电容
- 2.去耦电容
- 3.滤波和储能
- 4.应用
- 二、晶体三极管
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- 1.概述
- 2.主要参数
- 三、场效管
-
- 1.概述
- 三极管和场效应管的区别
一、电容
1.旁路电容
1、输入电压均匀化，降低噪声对后部的影响 2.储能，当外部信号变化过快时，及时补偿电压。
2.去耦电容
1.过滤干扰信号以输出信号 2.去耦电容一般较大，为10uF或更大，旁路电容器一般根据谐振频率选择0.1uF或0.01uF。 
3.滤波和储能
滤波：滤除杂波，大电容率滤低频率，小电容滤高频。 储能:收集电荷
4.应用
注意
二、晶体三极管
1.概述
半导体由三个电极组成，是利用输入电流控制输出电压的一种。 放大状态： 如下图所示，IC电流大小受IB控制。 饱和状态： 饱和状态IC电流不受IB控制，两者都比较大 截至状态： 如下图所示，VC为0，三极管截至状态 三极管的伏安特性曲线如下
2.主要参数
集电极最大允许电流 最大允许集电极耗散功率 发射极反向击穿电压 下图为S9013的主要参数
三、场效管
1.概述
它是一种电压控制电流装置，有三个电极：栅极、源极和漏极 以IRFP260NPbF为例：
伏安特性曲线如下图所示： IRFP260NPbF伏安特性曲线如下： 截止区：电压小于开启电压，MOS管不导通 可变电阻区：VDS很小，电流随Vgs增加而增加 恒流区：Vgs不变，Vds增加电流很小 击穿区：VDs过大，在这种情况下，MOS管容易烧坏
三极管和场效应管区别
| 三极管 | 场效应管 |
|---|---|
| 电流控制装置 | 电压控制装置 |
| 输入阻抗不高 | 输入阻抗高 |
| 噪声高 | 噪声小 |
| 速度快 | 速度慢 |