反向电流阻断和反极保护
- 1. 前言
- 2. 反向电流阻断
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- 2.1 定义
- 2.2 来源和危害
- 2.3 优化方法
- 3. 反极性保护
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- 3.1 定义
- 3.2 危害
- 3.3 优化方法
- 4.总结
- 参考文献
1. 前言
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2. 反向电流阻断
2.1 定义
指系统输出端电压高于输入端电压，导致电流反向流过系统。
2.2 来源和危害
- MOSFET当用于负载切换应用时，体二极管变为正偏
- 当电源从系统中断开时，输入电压突然下降。
- 多功率多路复用供电采用mos控制时
- oring控制。ORing类似于多路功率再利用，不同之处在于，不是选择电源供系统电，而是始终使用最高电压供系统电。
- 断电时，特别是输出电容大于输入电容时，电压下降缓慢。
- 反向电流会损坏内部电路和电源 - 反向电流峰会损坏电缆和连接器 - mos体二极管功耗上升甚至损坏
2.3 优化方法
二极管，特别是肖特基二极管，自然具有反向电流和反极保护功能，但成本高，反向漏电流大，需要散热。 两个方向都可以阻断，但占板面积大，导通阻抗大，成本高mos工作时不能提供反向阻断。 下图中，，其集电极为低，两PMOS导通，，如果输出比输入高，右侧mos体二极管导通使其D级高，G级高，左侧mos同时，由于体二极管不通，mos的VSG因此，两极管的压降不能达到门槛电压mos阻断输出到输入的电流。 
反向mos虽然可以阻断输出到输入的反电流，但缺点是从输入到输出总有一条二极管通路，不够智能。当输出大于输入时，无法关闭mos，还需加电压比较电路，所以就有了后来的理想二极管。 开关 多路复用:选择两个或两个以上输入电源之间的一个，为单个输出端供电。 形成理想的二极管有两个目标，一个是模拟肖特基，另一个是输入输出比较电路，使其反向关闭。
3. 反极性保护
3.1 定义
指电源或电池输入的正负极。
3.2 危害
对MCU、DC/DC静电放电转换器或其他集成电路（ESD）二极管电池或极性电容器对二极管造成严重损坏。
3.3 优化方法
上节指出了优缺点。 当电源正接时，体二极管导通，pmos当电源反接时，导通，pmos的g为正，vgs大于0导致pmos体二极管不通，保护了后电路的影响。 原理与高压侧相同pmos。 使用用分立mos建筑的缺点是：
- 反向电流阻断缺失
- 低压下pmos导通电阻大，功耗大
- pmos贵
- 没有人喜欢地上的波动，所以nmos不需要放在地上。
4.总结
反极性保护和反向电流保护是不同的概念，。
参考文献
《11 Ways to Protect Your Power Path》