随着传统产业的转型和技术的升级，中国半导体分立器件产业在新兴产业的发展中发挥着不可或缺的作用。随着新材料和新技术的不断发展和应用，对半导体分离器件的未来发展产生了深远的影响。轨道交通、新能源汽车、固态照明5G通信、物联网、大数据中心电源、光伏逆变和消费电子等应用市场快速增长的牵引下，国产化半导体功率器件已步入进口替代的快车道。
第十六届中国半导体行业协会半导体分立器件年会于7月20日在苏州开幕。在此期间，武汉普赛斯仪表有限公司（以下简称普赛斯仪表）作为中国领先的半导体电性能测试仪表提供商，在会议上展示了中国率先独立开发的数字源表，并邀请了公司副总经理王成《3kV/4kA IGBT主题静态参数测试系统方案的主题。
普赛斯仪器是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司，一直专注于半导体电气性能测试仪器的开发、生产和销售，致力于满足国内半导体领域从材料、晶圆到设备测试的科学仪器的替代需求。
率先布局数字源表，突破国外品牌技术垄断瓶颈
源表又称源测量单元（SMU），设备可以作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。早在20世纪90年代中期，数字源表就在中国引进。长期以来，进口设备一直处于行业垄断地位。国内用户采购成本高，中小企业不堪重负。近20年来，中国没有专门从事源表的公司。电性能参数是评估半导体材料和芯片性能的重要指标I-V测试应用最广泛，源表完成I-V随着高速信息产业的蓬勃发展，设备特性测试作为一种集多功能于一体的精密测量仪器，对测试系统的要求越来越高。
面对日益迫切的本地化需求，普赛斯从2015年开始研究数字源表，研究了数字源表工作框架的逻辑关系、主要功能电路和主要算法。普赛斯凭借领先的光学和光电技术、弱信号处理和抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法和系统集成等技术平台，率先开发了高精度台式数字源表，可以说是中国第一家定位数字源表的企业。2019年成立于2019年，然后推出了脉冲源表、窄脉冲电流源、集成卡源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等一站式国内电气性能测试仪表。成功取代国内进口产品。
国内自主解决卡颈问题，市场应用带动IGBT产业发展
IGBT它是电子电力装置和系统中的一种功率半导体CPU主力军高效节能减排。IGBT(绝缘栅双极晶体管)BJT和MOS复合全控电压驱动功率半导体器件由绝缘栅场效应管组成， 它是解决能源短缺和降低碳排放的关键支撑技术。在国际节能环保的大趋势下，IGBT下游新能源汽车、变频家电、新能源发电等领域发展迅速。IGBT对模块的需求逐渐扩大，新兴产业的加速发展继续推动IGBT随着市场的快速增长，将成为更高的电压、更低的损失、更大的电流和更高的可靠性IGBT未来发展趋势。
IGBT动态和静态测试系统IGBT从晶圆、贴片到包装完整的生产线，从实验室到生产线，模块研发制造过程中的重要测试系统都得到了充分的覆盖。合理的IGBT测试技术不仅可以准确测试IGBT电路参数对设备特性的影响可以在实际应用中得到优化IGBT设备设计。在IGBT在自动化生产线中，使用频率高，成本比例大，测量准确IGBT各种静态参数具有极其重要的实际意义。
但在实际的市场应用中存在IGBT进口设备测试成本高，国产3kV以上高压和1kA以上高电流IGBT模块测试系统性能不足是国内替代突破的典型市场痛点。普赛斯仪器专注于源表的研发和创新。经过多年的技术研发和创新积累PMST系列功率器件静态参数测试系统解决方案。
PMST功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能于一体，能够准确测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可以测量具有高电压和大电流特性的不同封装类型电源器件的静态参数μΩ精确测量等级，nA等级电流测量能力等特点。支持输入电容、输出电容、反向传输电容等高压模式下测量功率器件的结电容。PMST动力器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，满足测量动力器件不断变化的需要。