IGBT 一种是用于电力转换和变频的功率半导体器件，相当于电力电子领域的CPU”。融合了 BJT和 MOSFET具有耐压性高、电流大、导通损耗低等特点。 随着技术的升级，芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关闭时间和开关功耗不断降低，设备耐压值为600V升至 7000V。其主要应用包括传统的工业控制和家电， 以及新兴电动汽车、新能源发电等领域。
IGBT测试难点：
1、由于IGBT多端口设备，需要多个测量模块进行协同测试。
2、IGBT泄漏电流越小越好，因此需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，量程可自动切换。
4、由于IGBT在强电流下工作，自加热效果明显，脉冲试验可降低自加热效果MOSFET脉冲是必要的IV评估期间的自加热特性。
5、MOSFET电容曲线是其特征的重要组成部分，与其高频应用密切相关。IGBT电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要，需要测试双脉冲动态参数。
功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能于一体，能够准确测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT静态参数等)，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可以测量具有高电压和大电流特性的不同封装类型的静态参数，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持测量输入电容、输出电容、反向传输电容等高压模式下的功率器件结电容。
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高压：支持高达3KV高压试验；
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大电流：支持高达4KA大电流测试；
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高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV精确测量等级；
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丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
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配置导出：支持一键导出参数配置和一键启动测试功能；
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数据预览和导出：支持图形界面和表格显示测试结果，也可一键导出；
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模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，维护方便；
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可扩展：支持扩展温度控制功能，方便监控系统运行温度；
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可定制开发：可根据用户测试场景定制开发；
二极管、三极管等功率器件MOS管、IGBT、SIC、GaN；