品牌：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
制造商：ON Semiconductor
系列：QFET?
包装：管件
零件状态：在售
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)：19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On)：10V
不同Id，Vgs 时的Rds On(最大值):170 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 当时的栅极电荷(Qg)(最大值):53nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 输入电容(Ciss)(最大值):1080pF @ 25V
FET 功能：-
功耗(最大值):43W(Tc)
工作温度：-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型：通孔
供应商设备包装：TO-220F
包装/外壳：TO-220-3 整包
标准包装：1万