很多MCU开发者对MCU晶体的两侧应该不理解接地电容的做法，因为这个电容有时可以去除。
参考许多书籍，我发现书中很少有解释。最常提到的是：地面电容器具有稳定作用或相当于负载电容器，没有进行深入的理论分析。
另一方面，许多粉丝直接忽略了晶体旁边的两个电容器，他们认为这可以根据参考设计来完成。但事实上，这是MCU如图1所示，振荡电路电容振荡电路，如图1所示。
图1：MCU三点电容振荡电路
其中，Y1是晶体，相当于三点内的电感；C1和C5404和R一个实现了NPN类型三极管(可比较高频书中的三点电容振荡电路)。
接下来，我将分析这个电路：
首先，5404必须建立电阻，否则它将处于饱和截止区，而不是放大区，因为R1相当于三极管的偏置，可以使5404处于放大区域，充当反相器，从而实现NPN和NPN当共发射极接法时，三极管也是反相器。
其次，我们将以一种流行的方式解释三点振荡电路的工作原理。
众所周知，正弦振荡电路的振荡条件是系统放大倍数大于1，容易实现；但另一方面，相位需要满足360°。
问题在于这个相位:由于5404是反相器，180已经实现°移相，那就只需要了C1、C2和Y1再次实现 180°移相就够了。
恰好，当C1、C2和Y1形成谐振时，可实现180移相；最简单的实现方法是以地为参考。谐振时，因为C1、C2中的电流相同，地面在C1、C因此，电压恰好相反，从而实现180移相。
再则，当C1增大时，C当C当2下降时，振幅也会增加。有时即使不焊接也会增加。C1、C2也可以振动，但这种现象不是不焊接的C1、C2的做法是由芯片引脚的分布电容引起的，因为C1、C2的电容值不需要很大，这很重要。
那么，这两个电容对振荡稳定性到底有什么影响呢？
由于5404的电压反馈依赖于C2，假设C2过大，反馈电压过低，振荡不稳定；假设C过小，反馈电压过高，储能过少，容易受到外界干扰，辐射影响外界。C1的作用与C恰恰相反。
假设布板为双面板且较厚，则分布电容的影响不大；
但假设是高密度多层板，就要考虑电容的分布，尤其是VCO对于此类振荡电路，应考虑。
因此，对于工业控制项目，建议不要使用晶体振荡，而是直接使用有源晶体振荡。
很多时候大家会采用32.768K时钟晶体制作时钟，而不是通过单片机的晶体分频制作时钟。许多人一定不明白原因。事实上，这与晶体的稳定性有关：晶体频率越高，Q值一般难以提高，频率稳定性差； 32.768K晶体在稳定性等方面性能良好，但也形成了工业标准，更容易提高。
另外值得一提的是，32.768K是16 bit数据的一半预留最高1 bit定时计数器内部的数字计算处理也非常方便。