针对2.4G无线单发芯片的频段——SI24R2E，总结和回答开发过程中遇到的常见问题。
是的。芯片数据手册上有标准的参考原理图，我们会提供一份《Si24R2E硬件设计指南》，避免客户在设计过程中的一些问题，减少后期调试改板等工作。
因为Si24R2E主要用于低功耗有源标签应用，一般为纽扣电池供电，加100uf钽电容能有效稳定电源，保护电池延长电池寿命。
静态电流会更大。对芯片和芯片的烧录没有影响，但我们强烈建议加上这10个K上拉电阻主要是稳定性更好。
正常是我公司提供的PC端芯片烧录上位机编程器下载程序，测试和量产非常方便。它还支持外部连接MCU控制。
三种芯片都是脱胎的Si24R1.主要区别在于不同的应用领域，因此功能不同。
Si24R2F兼容Si24R2E在这种情况下，增加了一些功能：
1.在自动发射模式下，最多支持4个不同信道轮询发射；
2.集成温度监测和报警功能(打开温度监测，每次发射数据都包含芯片工作环境温度数据)；
3.支持按键发射功能；
4.支持发射数据加密。
Si24R2H相比Si24R2E有几个很大的区别:
1.R2H功率要高于R2E。分别是12dBm和7dBm；
2.包装不同，分别是R2H QFN32和R2E QFN20；
3.R2H内置125K，R2E则没有；
4.跳频通道不同，R2H只支持4通道跳频，R2E只支持3通道跳频；
5.内置NVM寄存器烧写次数不同，R2H可烧写次数少于32次，R2E为128次；
6.R2H支持数据加密功能，R2E则不支持；
7.R2H支持内部温度测量，NTC温度测量，插件温湿度传感器。R2E则不支持。
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