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今天分享四种常见的MOS管栅极驱动电路都用过吗？
这种电源IC直接驱动是最常见、最简单的驱动方式。
图1 IC直接驱动MOS栅极
在使用这种方法时，我们应该注意几个参数及其影响。
首先检查电源IC由于不同的原因，了解最大峰值驱动电流IC芯片具有不同的驱动能力。
其次，检查MOSFET如图所示C1、C2和C3.如果容值较大，则导通MOS管道所需的能量也相对较大。如果电源IC没有足够的峰值驱动电流，晶体管将以较慢的速度打开。
如果驱动力不足，即使减少图1中的高频振荡，上升边缘也可能出现高频振荡Rg也解决不了问题！还有IC驱动能力、MOSFET寄生电容、MOSFET开关速度等因素也会影响驱动电阻的选择，因此Rg不能无限减少。
驱动电路的作用是提高电流供应能力，快速完成栅极电容输入的充电过程。这种拓扑增加了开启所需的时间，但减少了关闭时间，可以快速打开开关管，避免上升边缘的高频振荡。
图2 图腾柱电路增强驱动
在关闭时，驱动电路可以提供尽可能低的阻抗通路MOSFET的栅极和源极之间的电容快速放电，保证开关管可以快速关断。
为了保证栅源极间电容C快速放电，在Rg一个并联Rg二、二极管D1。
其中D一般采用快恢复二极管，缩短关闭时间，减少关闭损失；Rg2的作用是防止电源IC由于电流过大而烧坏。
图3 加速MOS管关断电路
当电源加速时，图腾柱电路也可以关闭IC当驱动能力足够时，图2中的电路可以改进为下图。
图4 改善型加速MOS管关断电路
释放三极管GS电容的电很常见，如果Q1发射极无电阻，PNP晶体管导通时，栅极与源极之间的电容会短路，可在最短的时间内实现放电，尽量减少关闭时的交叉损耗。
图4，由于三极管的存在，电容电流不会直接通过电源IC放电提高了电路的可靠性。
以满足驱动高边MOS变压器驱动器通常用于安全隔离，如图5所示。
使用R1的目的是抑制PCB板上的寄生电感与C1形成LC振荡，其设计目的是通过交流隔离直流，防止磁芯饱和。
图5 高边MOSFET驱动电路
今天的文章到此结束，希望对大家有所帮助。
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