致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司( Corporation，纽约纳斯达克交易所代号 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) 和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件 的样品，及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极管(SBD) 和相应的裸片。美高森美将参展6月5日至7日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展 瑆甶，在6号展厅318展台展示这些SiC解决方案以及SiC SBD/MOSFET产品系列中的其它最新器件。 美高森美继续扩大其SiC产品系列的开发工作，已经成为向市场提供一系列Si / SiC功率分立和模块解决方案的少数供应商之一。这些新一代SiC MOSFET器件非常适合工业和汽车 市场中的多种应用，包括混合动力车(HEV)/电动车(EV)充电 插电/感应式车载充电器(OBC)、和电动车动力系统/牵引控制。它们也可用于医疗航天国防和 数据中心 应用中的开关模式电源、光伏(PV)逆变器 和电机控制美高森美副总裁兼功率分立器件和模块业务部门经理Leon Gross表示：“对于电动车充电、-DC、动力系统、医疗和工业设备以及航空驱动等应用，若要SiC解决方案快速获得采用，这些系统中使用的元器件必须具有较高效率、安全性和可靠性水平。美高森美的下一代SiC MOSFET和SiC二极管系列将会通过AEC-Q101资质认证以确保高可靠性水平，而且其高重复性无箝制感应开关(UIS)能力在额定电流下不会出现退化或失效，可见其稳健性。” 市场研究机构Technavio指出，面向全球半导体应用的SiC市场预计在2021年前达到大约5.405亿美元，年复合增长率(CAGR)超过18%。该公司还预测2021年前全球汽车半导体应用SiC器件市场的年复合增长率将达到20%左右。美高森美在这些发展中处于有利地位，其SiC MOSFET和肖特基势垒二极管器件具有高短路耐受能力的额定雪崩性能，能够实现稳健工作，并具有充足功能来满足这些不断增长的应用趋势。 与竞争Si/SiC二极管/MOSFET和IGBT解决方案相比，美高森美下一代1200 V、25/40/80 mOhm SiC MOSFET器件和裸片，以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件均具有对客户极具吸引力的巨大优势，包括可在更高的开关频率下实现更高效的开关运作，以及更高的雪崩/UIS额定值和更高的短路耐受额定值，从而实现稳健可靠的运作。例如，SiC MOSFET器件的开发重点是平衡特定导通、低栅极电阻和热阻，以及低栅极阈值电压和电容，从而实现可靠的工作。这些器件针对高良率工艺和低温度范围参数变化而设计，在高结温(175°C)下以更高的效率(相比Si和IGBT解决方案) 工作，能够扩展HEV/EV及其它应用中的电池系统。 这些新器件样品正在进行AEC-Q101认证，并已通过了其中的高温反向偏压(HTRB)和时间依赖性介质击穿(TBBD)测试，证明可提供出色的栅极完整性和高栅极良率。其它主要特性包括：
关键词：二极管器件 -电子元器件采购网（www.ruidan.com）是本土元器件目录分销商，采用“小批量、现货、样品”销售模式，致力于满足客户多型号、高质量、快速交付的采购需求。锐单自建高效智能仓储，拥有自营库存超过50,000种，提供一站式正品现货采购、个性化解决方案、选型替代等多元化服务。