包装信息
包装|销 | 包装数量|承运商: | 工作温度范围(°C) |
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NFBGA(ZBX)| 260 | 120 | JEDEC托盘(5+1) | 0到70 |
包装|销 | NFBGA(ZBX)| 260 |
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包装数量|承运商: | 120 | JEDEC托盘(5+1) |
工作温度范围(°C) | 0到70 |
TX7332的功能
- TX7332支持:
- 32通道三电平脉冲发生器和有源收发(T/R)开关
- 极低功耗片上波束形成模式:
- 仅接收模式:0.45 mW/ch
- 收发模式:16.4mW/ch
- CW模式:160 mW/ch
- 在全局掉电模式下:0.1 mW/ch
- 三电平脉冲发生器:
- 最大输出电压:±100V
- 最小输出电压:±1 V
- 最大输出电流:1.2 A至0.3A
- 最大钳位电流:0.5 A至0.12 A
- 二次谐波:5 MHz时为-45 dBc
- CW模式抖动:从100 Hz到20 kHz测量100 fs
- CW模式近相位噪声:-154 dBc/Hz,5MHz信号的1khzoffset
- –3-dB带宽,2-kΩ| | 120 pF负载
- 20兆赫(用于±100伏电源)
- 25兆赫(用于±70伏电源)
- 有源T/R开关,带:
- 开、关控制信号
- 带宽:50MHz
- HD2:–50 dBc
- 打开r电阻:24?
- 开启时间:0.5?s
- 关闭时间:1.75微秒
- 瞬时故障:50 mV第页
- 片外波束形成器具有:
- 使用同步功能清除抖动
- 最大同步时钟频率:200 MHz
- 片上波束形成器具有:
- 延迟分辨率:一个波束形成器时钟周期
- 最大延迟:213波束形成器时钟周期
- 最大波束形成器时钟速度:200 MHz
- 要存储的片上RAM
- 16延迟配置文件
- 32图案轮廓
- 高速(最大100 MHz)1.8-V和2.5-V CMOS串行编程接口
- 自动热关机
- 无特定电源顺序要求
- 小封装:260针NFBGA(17毫米×11毫米),间距0.8毫米
所有商标均为其各自所有者的财产。
TX7332的说明
TX7332是用于超声成像系统的高度集成、高性能发射机解决方案。该装置共有32个脉冲发生器电路(PULS),32个发射/接收(T/R)开关,支持片内和片外波束形成器(TxBF)。该设备还集成了芯片上的浮动电源,减少了所需的高压电源的数量。
TX7332有一个脉冲发生器电路,可产生三电平高电压脉冲(高达±100 V),用于激发超声换能器的多个通道。这些设备总共支持32个输出。最大输出电流可配置为1.2 A至0.3 A。
当脉冲发生器产生高压脉冲时,关闭状态下的T/R开关通过在高压发射器和低压接收器之间提供高隔离来保护接收器电路。当传感器接收到回波信号时,T/R开关打开并将传感器连接到接收器。T/R开关的开/关操作由外部引脚控制或由设备中的片上波束形成引擎控制。T/R开关在接通状态下提供24Ω阻抗。
超声波传输依赖于多个换能器元件的激励,激励的延迟分布在不同元件上,定义了传输方向。这种操作被称为发射波束形成。TX7332支持不同信道的加标脉冲,允许发射波束形成。该设备支持片外和片内波束形成操作。
在片外波束形成器模式下,每个脉冲发生器的输出转换和TR开关的开/关操作由外部控制引脚控制。为了消除外部控制信号的抖动影响,设备支持同步功能。当同步功能启用时,外部控制信号使用低抖动波束形成器时钟信号锁存。
在片上波束形成器模式中,不同信道脉冲的延迟剖面存储在设备中。该设备支持一个波束形成器时钟周期的发射波束形成器延迟分辨率,最大延迟为213波束形成器时钟周期。内部模式发生器基于存储在模式RAM中的模式模式来生成输出脉冲模式。在剖面RAM中可以存储多达16个波束形成剖面和32个模式剖面。片内波束形成模式减少了必须从FPGA路由到设备的控制信号的数量。。
TX7332采用17 mm×11 mm 260针NFBGA封装,并规定在0°C至70°C的温度范围内工作。