P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD25213W10
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in22 盎司纯铜 Cu 2 oz. 且厚度为 0.060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上，RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| CSD25213W10 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD25402Q3A | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD2410 | Crydom 快达 | 下载 |
| CSD2425F | Crydom 快达 | 下载 |
| CSD2425 | Crydom 快达 | 下载 |
| CSD2450 | Crydom 快达 | 下载 |
| CSD25483F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD23382F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD23381F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD23381F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD25483F4T | TI 德州仪器 | 下载 |