BF999 N沟道MOSFET 20V SOT-23/SC-59 marking/标记 LB 低噪声增益控制放大器
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 30v 最大漏极电流Id Drain Current| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon N-Channel MOSFET Triode For high-frequency stages up to 300 MHz preferably in FM applications 描述与应用| 硅N沟道MOSFET三极管 对于高达300 MHz的高频阶段 最好是在FM应用
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BF999 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BF991,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF996S,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF998R,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF998R,235 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF998WR,115 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF998,235 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF998E6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BF999E6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BF999E6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BF991 | NXP 恩智浦 | 下载 |