EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT
IGBT 420V 25A 125W Through Hole I-PAK
得捷:
IGBT 420V 25A 125W IPAK
贸泽:
IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 360V 25A Automotive 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Win Source:
EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| STGD18N40LZ-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| STGDL6NC60DT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| STGD8NC60KDT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| STGD10HF60KD | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| STGD3HF60HDT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| STGD19N40LZ | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| STGD10NC60HT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| STGD10NC60ST4 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| STGD10NC60SDT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| STGD3NB60FT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
| STGD7NB60ST4 | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |