BSH111 N沟道MOSFET 55V 335mA/0.335A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK3
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 55V
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最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 55V
最大漏极电流Id Drain Current| 335mA/0.335A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance|
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage|
耗散功率Pd Power Dissipation| 830mW/0.83W
Description & Applications| TrenchMOS™ technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.
描述与应用| 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 门源的ESD保护二极管
Win Source:
MOSFET N-CH 55V SOT-23
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BSH111 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH121,135 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH14-D | Panduit 泛达 | 下载 |
| BSH103,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH105,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH114,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH108,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH111,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH111,235 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH18-Q | Panduit 泛达 | 下载 |
| BSH10-E | Panduit 泛达 | 下载 |