IRF8707PBF

IRF8707PBF概述

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF8707PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC 新

Description

The IRF8707PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. The IRF8707PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operationincluding Rdson and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors for notebook and Netcom applications.

Benefits

Very Low Gate Charge

Very Low RDSon at 4.5V VGS

Ultra-Low Gate Impedance

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

20V VGS Max. Gate Rating

100% tested for Rg

Lead-Free

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