P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.065Ω @-1A,-4.7V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.47--0.9 耗散功率PdPower Dissipation| 480mW/0.48W Description & Applications| 20 V, single P-channel Trench MOSFET Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology 描述与应用| 20 V，单P沟道沟道MOSFET 低阈值电压 低通态电阻 沟道MOSFET技术
Win Source:
P-channel TrenchMOS extremely low level FET
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| PMV65XP | NXP 恩智浦 | 下载 |
| PMV65XPEA | NXP 恩智浦 | 下载 |
| PMV65UN,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| PMV6-6RB-2K | Panduit 泛达 | 下载 |
| PMV6-8RB-2K | Panduit 泛达 | 下载 |
| PMV6-3RB-2K | Panduit 泛达 | 下载 |
| PMV6-35RB-2K | Panduit 泛达 | 下载 |
| PMV6-4RB-2K | Panduit 泛达 | 下载 |
| PMV6-5RB-2K | Panduit 泛达 | 下载 |
| PMV6-8R-X | Panduit 泛达 | 下载 |
| PMV6-3R-L | Panduit 泛达 | 下载 |