-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 SON 封装,可提供出色的封装散热性能。
## 应用
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| CSD25404Q3 | TI 德州仪器 | 下载 |
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