IS61LV5128AL-10TLI

IS61LV5128AL-10TLI概述

INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS61LV5128AL-10TLI  芯片, SRAM 4MB 512K X 8 3V 10ns

静态 RAM,ISSI

**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源:1.8V/3.3V/5V

提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP

提供的配置选择:x8 和 x16

ECC 功能可用于高速异步 SRAM

### SRAM(静态随机存取存储器)


欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II


立创商城:
IS61LV5128AL-10TLI


贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v


e络盟:
芯片, 存储器, SRAM, 4MB, 512K X 10位, 10 NS存取时间, 3.135V至3.6V电源, TSOP-44


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II


Jameco:
SRAM Chip ASynchronous Single 3.3 Volt 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II


TME:
Memory; SRAM; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II; -40÷85°C


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II


Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS61LV5128AL-10TLI  SRAM 4MB 512K X 8 3V 10NS, 61LV5128


力源芯城:
512K x 8高速CMOS SRAM,10ns


DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP


Win Source:
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP


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