IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBF JSMICRO/深圳杰盛微
品牌:JSMSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBF BYCHIP/百域芯
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRFR1018ETRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFR1018ETRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFR1018ETRPBF
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 79A, TO-252AA
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFR1018ETRPBF
Days to ship 3
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFR1018ETRPBF
Days to ship 9
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFR1018ETRPBF
Single N-Channel 60 V 8.4 mOhm 69 nC HEXFET Power Mosfet - TO-252-3
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFR1018ETRPBF
MOSFET, N-CH, 60V, 79A, TO-252AA
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFR1018ETRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 79 A, D-Pak (TO-252AA), 通孔安装, IRFR1018ETRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFR1018ETRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 79 A, D-Pak (TO-252AA), 通孔安装, IRFR1018ETRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 56A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 8.4 毫欧 47A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 69 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2290 pF 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 110W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-Pak |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00