NTGD3148NT1G
NTGD3148NT1G VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
NTGD3148NT1G
场效应管, MOSFET, 双路 N沟道, 20V, 3.5A, TSOP
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTGD3148NT1G
Dual N-Channel 20 V 70 m? 3.8 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTGD3148NT1G
MOSFET, DUAL NCH, 20V, 3.5A, TSOP
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 70 毫欧 3.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3.8nC 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 300pF 10V |
功率 - 最大值: | 900mW |
工作温度: | -50°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装: | 6-TSOP |
温度: | -50°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00