DS1245Y-120IND+和DS1245Y-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245Y-120IND+ DS1245Y-70IND+ DS1245Y-100+

描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-120IND+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-100+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 32 32 32

时钟频率 120 GHz 70.0 GHz 100 GHz

存取时间 120 ns 70 ns 100 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

频率 - - 100 GHz

长度 - 44.2 mm 44.2 mm

宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 9.9 mm 9.9 mm

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Each Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -

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