对比图
型号 CSD17579Q3AT RQ3E180BNTB CSD17579Q3A
描述 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8Pin HSMT EP T/RCSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSONP-8 PowerVDFN-8 VSONP-8
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.0087 Ω - 11.8 mΩ
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 29 W 2 W 2.5 W
阈值电压 1.5 V - 1.1 V
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
连续漏极电流(Ids) 20A - 20A
上升时间 5 ns - 5 ns
输入电容(Ciss) 768pF @15V(Vds) 3500pF @15V(Vds) 998pF @15V(Vds)
下降时间 1 ns - 1 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 29W (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) 3.2W (Ta), 29W (Tc)
长度 3.5 mm - 3.15 mm
宽度 3.5 mm - 3 mm
高度 0.9 mm - 0.9 mm
封装 VSONP-8 PowerVDFN-8 VSONP-8
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -