对比图
型号 CSD19502Q5B CSD19506KCS CSD19502Q5BT
描述 N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5B80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19506KCSTEXAS INSTRUMENTS CSD19502Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 157 A, 80 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.7 V 新
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 8 3 8
封装 VSON-Clip-8 TO-220-3 VSON-Clip-8
针脚数 8 3 8
漏源极电阻 0.0034 Ω 0.002 Ω 0.0034 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.2 W 375 W 195 W
阈值电压 2.7 V 2.5 V 2.7 V
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 100A 150A -
上升时间 6 ns 11 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 4870pF @40V(Vds) 9380pF @40V(Vds) 4870pF @40V(Vds)
下降时间 7 ns 10 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 375W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 80 V
长度 - 10.67 mm 6 mm
宽度 - 4.7 mm 5 mm
高度 - 16.51 mm 1 mm
封装 VSON-Clip-8 TO-220-3 VSON-Clip-8
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99