对比图
型号 CSD19506KTT CSD19535KTT CSD19536KTT
描述 80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2.3mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 375 W 300 W 375 W
漏源极电压(Vds) 80 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 200A 200A 200A
上升时间 7 ns 18 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 12200pF @40V(Vds) 7930pF @50V(Vds) 12000pF @50V(Vds)
下降时间 5 ns 15 ns 6 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 300W (Tc) 375W (Tc)
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 9.25 mm - -
高度 4.7 mm - -
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -