MJD117和MJD117G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD117 MJD117G MJD117RLG

描述 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD117G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFEDPAK PNP 100V 2A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 20 W 1.75 W 1750 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

额定电压(DC) -100 V -100 V -

额定电流 -2.00 A -2.00 A -

最大电流放大倍数(hFE) 12000 12000 -

输出电压 - 100 V -

输出电流 - 2 A -

针脚数 - 4 -

热阻 - 71.4℃/W (RθJA) -

直流电流增益(hFE) - 12 -

输入电压 - 5 V -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.38 mm 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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