对比图
型号 STD12N65M5 STD15N65M5 IPD65R380E6
描述 STMICROELECTRONICS STD12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics650V的CoolMOS E6功率晶体管 650V CoolMOS E6 Power Transistor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 70 W 85 W 83 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 700 V
连续漏极电流(Ids) - 11A 10.6A
上升时间 17.6 ns 8 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 900pF @100V(Vds) 816pF @100V(Vds) 710pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 85 W 83 W
下降时间 23.4 ns 11 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 85W (Tc) 83000 mW
通道数 1 1 -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.39 Ω 340 mΩ -
阈值电压 4 V 4 V -
漏源击穿电压 650 V 650 V -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.5 mm
宽度 6.2 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -