BF423ZL1G和BF823

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF423ZL1G BF823 BF423G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BF423ZL1G  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFENXP  BF823  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE 新高电压晶体管 High Voltage Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 SOT-23 TO-226-3

频率 60 MHz - -

额定电压(DC) -250 V - -250 V

额定电流 -50.0 mA - -50.0 mA

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 830 mW 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 250 V - 250 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V - 50 @25mA, 20V

额定功率(Max) 830 mW - 830 mW

直流电流增益(hFE) 50 50 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 830 mW - 830 mW

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-226-3 SOT-23 TO-226-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2018/01/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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