对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR BF423ZL1G 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFENXP BF823 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE 新高电压晶体管 High Voltage Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 SOT-23 TO-226-3
频率 60 MHz - -
额定电压(DC) -250 V - -250 V
额定电流 -50.0 mA - -50.0 mA
针脚数 3 3 -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 830 mW 250 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 250 V - 250 V
集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V - 50 @25mA, 20V
额定功率(Max) 830 mW - 830 mW
直流电流增益(hFE) 50 50 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 830 mW - 830 mW
长度 5.2 mm - -
宽度 4.19 mm - -
高度 5.33 mm - -
封装 TO-226-3 SOT-23 TO-226-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - Box
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2018/01/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99