DS1220AD-100IND和DS1220Y-100IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AD-100IND DS1220Y-100IND+ DS1220AD-100IND+

描述 16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - - 24

时钟频率 100 GHz - 100 GHz

存取时间 100 ns - 100 ns

内存容量 2000 B - 2000 B

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

长度 38.1 mm - 38.1 mm

宽度 18.8 mm - 18.29 mm

高度 10.67 mm - 10.67 mm

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台